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HGT1S20N60A4S9A Technische Spezifikationen

HGT1S20N60A4S9A datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 290W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Rise Time 12ns
Max Collector Current 70A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm) 280A
Switching Energy 105μJ (on), 150μJ (off)
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 70A
Power Dissipation 290W
Power - Max 290W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Test Condition 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge 142nC
Td (on/off) @ 25°C 15ns/73ns
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 1180
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HGT1S20N60A4S9A Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, HGT1S20N60A4S9A Referenzpreis. HGT1S20N60A4S9A Parameter, HGT1S20N60A4S9A Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HGT1S20N60A4S9A Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HGT1S20N60A4S9A Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HGT1S20N60A4S9A Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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