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HGT1S3N60A4DS9A Technische Spezifikationen

IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Element Configuration Single
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 19 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Switching Energy 37μJ (on), 25μJ (off)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 70W
Power Dissipation 70W
Power - Max 70W
Max Collector Current 17A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 17A
Test Condition 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge 21nC
Td (on/off) @ 25°C 6ns/73ns
RoHS Status RoHS Compliant
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