KSD2058YTU Technische Spezifikationen

KSD2058YTU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 3A
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.5W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 8
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Weight 2.27g
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 1.5W
Frequency 400kHz
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 400 kHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 200mA, 2A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSD2012-G KEC Spezialisierte heiße ICs 20
KSD2012G FSC Spezialisierte heiße ICs 2689
KSD2012GTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3082
KSD2012GTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2282
KSD2012GTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD2012Y FSC Spezialisierte heiße ICs 6
KSD2012YTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSD2012YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2722
KSD2012YTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD2012YYDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2546

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