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MJD112T4G Technische Spezifikationen

MJD112T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 2A
Base Part Number MJD112
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Polarity NPN
Case Connection COLLECTOR
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Transition Frequency 25MHz
Max Breakdown Voltage 100V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
Continuous Collector Current 2A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 20W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 20μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Frequency - Transition 25MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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  • Datenblätter

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Die folgenden Teile umfassen  'MJD11' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD112 Original Spezialisierte heiße ICs 218280
MJD112-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2663
MJD112-001 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD112-001G ON Spezialisierte heiße ICs 3128
MJD112-1 MOTOLOR Spezialisierte heiße ICs 12811
MJD112-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5307
MJD112-1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD112-1G/MJD117 ON/FAI Spezialisierte heiße ICs 2692
MJD112-RTF KEC Spezialisierte heiße ICs 3252
MJD112-RTF/P KEC Spezialisierte heiße ICs 3432

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MJD112T4G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, MJD112T4G Referenzpreis. MJD112T4G Parameter, MJD112T4G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MJD112T4G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MJD112T4G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MJD112T4G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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