MPSW45AZL1G Technische Spezifikationen

MPSW45AZL1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature EUROPEAN PART NUMBER
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 1A
Base Part Number MPSW45A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25000 @ 200mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 1A
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
Continuous Collector Current 1A
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 1W
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Frequency - Transition 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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