MPSW45RLRE Technische Spezifikationen

MPSW45RLRE datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.29.00.75
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 1W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25000 @ 200mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 1A
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 25000
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 1A
Base Part Number MPSW45
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Frequency - Transition 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
Continuous Collector Current 1A
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MPSW42 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2754
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