NGTB40N120FL2WG Technische Spezifikationen

IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.500007g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Gate Charge 313nC
Td (on/off) @ 25°C 116ns/286ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 21.4mm
Width 5.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 535W
Element Configuration Single
Power - Max 535W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Reverse Recovery Time 240 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 40A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 16.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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NGTB40N120FL2WAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2621
NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor Einzelne IGBTs
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