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NGTB40N120FLWG Technische Spezifikationen

NGTB40N120FLWG datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Test Condition 600V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 630 ns
Gate Charge 415nC
Td (on/off) @ 25°C 130ns/385ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 21.08mm
Width 5.3mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 260W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 260W
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Reverse Recovery Time 200ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 172 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 2.6mJ (on), 1.6mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 16.26mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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