NGTG12N60TF1G Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case Module
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Element Configuration Single
Max Collector Current 24A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Height 26.5mm
Width 5.5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Through Hole
Number of Pins 3
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 54W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Continuous Collector Current 20A
Length 15.5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NGTG12N60TF1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2540
NGTG15N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2502
NGTG15N120FL2WG ON Semiconductor Einzelne IGBTs
NGTG15N60S1EG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2742
NGTG15N60S1EG ON Semiconductor Einzelne IGBTs
NGTG15N60S1EG(G15N60S1G) INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2743

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