NGTG15N60S1EG Technische Spezifikationen

NGTG15N60S1EG datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 117W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 1.95V
Test Condition 400V, 15A, 22 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 440 ns
Gate Charge 88nC
Td (on/off) @ 25°C 65ns/170ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 15.75mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 2.299997g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 117W
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 65 ns
Transistor Application MOTOR CONTROL
Turn-Off Delay Time 170 ns
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 550μJ (on), 350μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 10.28mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NGTG12N60TF1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2540
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