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NSBA123JDXV6T1 Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Power Dissipation 357mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form FLAT
Current Rating -100mA
Base Part Number NSBA1*
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA114EDXV6T1 ON Spezialisierte heiße ICs 5048

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NSBA123JDXV6T1 Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBA123JDXV6T1 Referenzpreis. NSBA123JDXV6T1 Parameter, NSBA123JDXV6T1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBA123JDXV6T1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBA123JDXV6T1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBA123JDXV6T1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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