NSS1C201MZ4T1G Technische Spezifikationen

NSS1C201MZ4T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number NSS1C201
Number of Elements 1
Power Dissipation 2W
Power - Max 800mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 100V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Length 6.7mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Frequency 100MHz
Pin Count 4
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 180mV
Collector Base Voltage (VCBO) 140V
Height 1.65mm
Width 3.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSS1C200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 167438
NSS1C200LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS1C200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 35338
NSS1C200MZ4T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 7452
NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS1C200MZ4T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3445
NSS1C200MZ4T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 13092
NSS1C200MZ4T3G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSS1C200MZT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12974
NSS1C201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5370

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