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NSV40301MDR2G Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 48 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 653mW
Pin Count 8
Polarity NPN
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Frequency 100MHz
Number of Elements 2
Power Dissipation 783mW
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSV40200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3237
NSV40200LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSV40200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 27246
NSV40200UW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2549
NSV40200UW6T1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSV40201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3468
NSV40201LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSV40201LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 324
NSV40300MDR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2596
NSV40300MDR2G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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