NSV40302PDR2G Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 653mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 115mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
Frequency - Transition 100MHz
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
Part Status Active
Max Power Dissipation 653mW
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NSV40200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3237
NSV40200LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSV40200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 27246
NSV40200UW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2549
NSV40200UW6T1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSV40201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3468
NSV40201LT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSV40201LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 324
NSV40300MDR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2596
NSV40300MDR2G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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