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NTD3055L170T4G Technische Spezifikationen

NTD3055L170T4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 170MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 9A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 1.5W Ta 28.5W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170m Ω @ 4.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 38 ns
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 15V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 28.5W
Turn On Delay Time 9.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta
Rise Time 69ns
Vgs (Max) ±15V
Turn-Off Delay Time 10 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 27A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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