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NVGS3130NT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Power Dissipation-Max 600mW Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 5.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 935pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 4.2A
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NVGS3130N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 50357
NVGS3130NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3435
NVGS3136PT1G ON Spezialisierte heiße ICs 3249
NVGS3136PT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3311
NVGS3441T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6541
NVGS3441T1G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NVGS3441T1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6325
NVGS3443T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25369
NVGS3443T1G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NVGS3443T1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 35373

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