NVMFD5485NLWFT1G Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR - NVMFD5485NLWFT1G - NFET DFN8 60V 20A 60MOHM / REEL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2.9W
Number of Channels 2
Turn On Delay Time 9.5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44m Ω @ 15A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Turn-Off Delay Time 27.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Pin Count 8
Element Configuration Dual
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
Rise Time 26.6ns
Fall Time (Typ) 23.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.3A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NVMFD030N06CT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 381
NVMFD5483NLT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 9837
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NVMFD5483NLT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2684
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NVMFD5483NLWFT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2626
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