NVMFD5852NLWFT1G Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 8-Pin DFN T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 3.2W
Pin Count 8
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Rise Time 8ns
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 44A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 15A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form FLAT
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
DS Breakdown Voltage-Min 40V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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