NVMFD5853NLT1G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 3W
Pin Count 8
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Element Configuration Dual
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Continuous Drain Current (ID) 12A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 34A
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 40 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Length 6.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form FLAT
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 15A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Turn-Off Delay Time 22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.015Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 165A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.05mm
Width 5.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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