NVMFD5C674NLT1G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 48 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Ta 42A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 119A
Avalanche Energy Rating (Eas) 61 mJ
FET Feature Standard
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 3W Ta 37W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
Drain-source On Resistance-Max 0.0204Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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