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SBC857BDW1T1G Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Polarity PNP
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -50V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 380mW
Base Part Number BC857BD
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Collector Emitter Saturation Voltage -650mV
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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