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SMUN5311DW1T2G Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 35
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Max Power Dissipation 187mW
Base Part Number MUN53**DW1
Reference Standard AEC-Q101
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 250mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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