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QJD1210010 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Powerex, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Module
Power - Max 1080W
Package / Case Module
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A
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QJD1210010 Markenhersteller: Powerex, Inc., Bonchip Aktie, QJD1210010 Referenzpreis. QJD1210010 Parameter, QJD1210010 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden QJD1210010 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden QJD1210010 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, QJD1210010 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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