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DTA114EMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2006
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signals
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Current Rating -50mA
Base Part Number DTA114
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 30
Continuous Collector Current -50mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA1132KA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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