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DTA114EUBHZGTL Technische Spezifikationen

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SC-85
Number of Pins 3
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) -50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage -50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
REACH SVHC Unknown
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA1132KA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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DTA114EUBHZGTL Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA114EUBHZGTL Referenzpreis. DTA114EUBHZGTL Parameter, DTA114EUBHZGTL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA114EUBHZGTL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA114EUBHZGTL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA114EUBHZGTL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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