DTA115TKAT146 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SMD/SMT
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 100
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 59
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 100
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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DTA1132KA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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