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DTA123JMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Copper, Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Current Rating -100mA
Base Part Number DTA123
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3432
DTA123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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DTA123JMT2L Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA123JMT2L Referenzpreis. DTA123JMT2L Parameter, DTA123JMT2L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA123JMT2L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA123JMT2L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA123JMT2L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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