DTA123JUBHZGTL Technische Spezifikationen

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SC-85
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3432
DTA123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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