DTA123YEBTL Technische Spezifikationen

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SC-85
Part Status Active
Power - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Digi-Reel®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
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DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3432
DTA123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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