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DTA124ECAT116 Technische Spezifikationen

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Max Breakdown Voltage 20V
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
HTS Code 8541.21.00.75
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3432
DTA123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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DTA124ECAT116 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA124ECAT116 Referenzpreis. DTA124ECAT116 Parameter, DTA124ECAT116 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA124ECAT116 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA124ECAT116 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA124ECAT116 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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