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DTD143TKT146 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 500mA
Base Part Number DTD143
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 100
Continuous Collector Current 500mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD143EC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3226
DTD143EC / R23 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 36000
DTD143EC T216 ROHM Spezialisierte heiße ICs 26137
DTD143ECHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 15426
DTD143ECHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD143ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 104600
DTD143ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD143ECT216 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 20365
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DTD143TKT146 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTD143TKT146 Referenzpreis. DTD143TKT146 Parameter, DTD143TKT146 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTD143TKT146 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTD143TKT146 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTD143TKT146 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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