SH8KA2GZETB Technische Spezifikationen

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28m Ω @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.028Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2017
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 2.8W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 16A
Avalanche Energy Rating (Eas) 2.6 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SH8KA1GZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8KA2 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000
SH8KA2GZETB LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3001
SH8KA4TB LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2540
SH8KA4TB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8KA4TB IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 563
SH8KA4TB1 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1369
SH8KA7 ROHM Spezialisierte heiße ICs 8030
SH8KA7GZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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