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SH8KA7GZETB Technische Spezifikationen

SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.0093Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 2W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
Avalanche Energy Rating (Eas) 65.1 mJ
FET Feature Standard
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SH8KA1GZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8KA2 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000
SH8KA2GZETB LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3001
SH8KA2GZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8KA4TB LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2540
SH8KA4TB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8KA4TB IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 563
SH8KA4TB1 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1369
SH8KA7 ROHM Spezialisierte heiße ICs 8030

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