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TT8J1TR Technische Spezifikationen
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 1W |
Pin Count | 8 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Turn On Delay Time | 9 ns |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61m Ω @ 2.5A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 6V |
Rise Time | 35ns |
Fall Time (Typ) | 85 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.5A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.061Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 12V |
FET Feature | Standard |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2009 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 8 |
Subcategory | Other Transistors |
Base Part Number | *J1 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 1.25W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Turn-Off Delay Time | 130 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 10V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Radiation Hardening | No |
TT8J1TR Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "TT8J1" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'TT8J1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
TT8J1 | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 2278 |
TT8J11 | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 859 |
TT8J11 FU7TCR | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 1875 |
TT8J11 TCR | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 18000 |
TT8J11FU7TCR | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 1689 |
TT8J11TCR | LAPIS Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 3971 |
TT8J11TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor Arrays | |
TT8J13 | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 150000 |
TT8J13TCR | LAPIS Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2605 |
TT8J13TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor Arrays |
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TT8J1TR Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, TT8J1TR Referenzpreis. TT8J1TR Parameter, TT8J1TR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TT8J1TR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TT8J1TR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TT8J1TR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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