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UT6K30TCR Technische Spezifikationen

UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerUDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drain-source On Resistance-Max 0.223Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-N6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 153m Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1.3 mJ
FET Feature Standard
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UT6K3TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 589
UT6K3TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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UT6K30TCR Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, UT6K30TCR Referenzpreis. UT6K30TCR Parameter, UT6K30TCR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden UT6K30TCR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden UT6K30TCR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, UT6K30TCR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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