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UT6K3TCR Technische Spezifikationen

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case 6-PowerUDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code S-PDSO-N6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42m Ω @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 2.4 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.042Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UT6K30TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
UT6K3TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 589

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