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1N5809US.TR Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 100V 6A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Semtech
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Supplier Device Package -
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF
Mounting Type Surface Mount
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 5V, 1MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -
Manufacturer Standard Lead Time 46 Weeks
Detailed Description Diode Standard 100V 6A Surface Mount
Current - Average Rectified (Io) 6A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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1N5802US Semtech Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2685
1N5803 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2579
1N5803 Microsemi Corporation Einphasen-Diodengleichrichter
1N5804 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2689
1N5804 Semtech Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2630
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