TSM650P03CX RFG Technische Spezifikationen

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names TSM650P03CX RFGTR TSM650P03CX RFGTR-ND TSM650P03CXRFGTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 40 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package SOT-23
Power Dissipation (Max) 1.56W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
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