TSM6502CR RLG Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names TSM6502CR RLGDKR TSM6502CR RLGDKR-ND TSM6502CRRLGDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 30 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc), 18A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Power - Max 40W
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 40W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation MOSFETs Transistor Arrays
TSM650N15CR RLG TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2071
TSM650N15CS SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 28057
TSM650N15CS RLG TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2710
TSM650P02CX TSC Spezialisierte heiße ICs 38304
TSM650P02CX RFG TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9428
TSM650P03CX TSC Spezialisierte heiße ICs 38488
TSM650P03CX RFG TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9670
TSM650P03CX RFG MOS TSC Spezialisierte heiße ICs 7100

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