RN49A1FE(TE85L,F) Technische Spezifikationen

PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2K?, Q1BE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Power - Max 100mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω, 22k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Elements 2
Polarity/Channel Type NPN/PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1W
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN49A1 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 15208
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2520
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN49A2 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 12000
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2504
RN49A5 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 21027
RN49A5 IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3277
RN49A6FS TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 30000
RN49AA5 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3500

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