RN49A2,LF(CT Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz, 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package US6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN49A1 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 15208
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2520
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN49A2 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 12000
RN49A5 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 21027
RN49A5 IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3277
RN49A6FS TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 30000
RN49AA5 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3500

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