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TK10P60W,RVQ Technische Spezifikationen

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 4.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TK10P50W Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 4965
TK10P60W TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 17567
TK10P60W,RGELQ TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2625
TK10P60W.RVQ Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3514
TK10P60WRVQ TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2225

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TK10P60W,RVQ Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TK10P60W,RVQ Referenzpreis. TK10P60W,RVQ Parameter, TK10P60W,RVQ Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TK10P60W,RVQ Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TK10P60W,RVQ Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TK10P60W,RVQ Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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