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TPCC8002-H(TE12L,Q Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 2500pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 8.3 mOhm @ 11A, 10V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status Tape & Reel (TR)
Polarization 8-VDFN Exposed Pad
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27nC @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5V @ 1mA
Expanded Description N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON
Description MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Capacitance Ratio 700mW (Ta), 30W (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown 8-TSON
Vgs (Max) 4.5V, 10V
Series U-MOSV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22A (Ta)
Other Names TPCC8002HTE12LQ
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Part Number TPCC8002-H(TE12L,Q
IGBT Type ±20V
FET Feature N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30V
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TPCC8002-H(TE12L,Q Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TPCC8002-H(TE12L,Q Referenzpreis. TPCC8002-H(TE12L,Q Parameter, TPCC8002-H(TE12L,Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TPCC8002-H(TE12L,Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TPCC8002-H(TE12L,Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TPCC8002-H(TE12L,Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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