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TPCC8006-H(TE12LQM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package 8-TSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVI-H
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta)
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TPCC8006-H(TE12LQM Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TPCC8006-H(TE12LQM Referenzpreis. TPCC8006-H(TE12LQM Parameter, TPCC8006-H(TE12LQM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TPCC8006-H(TE12LQM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TPCC8006-H(TE12LQM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TPCC8006-H(TE12LQM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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