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TPCC8093,L1Q Technische Spezifikationen

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVII
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta), 30W (Tc)
Other Names TPCC8093L1Q
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature 150°C
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
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TPCC8093,L1Q Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TPCC8093,L1Q Referenzpreis. TPCC8093,L1Q Parameter, TPCC8093,L1Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TPCC8093,L1Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TPCC8093,L1Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TPCC8093,L1Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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