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TP65H035G4YS Technische Spezifikationen

The TP65H035G4YS from Transphorm is a GaN Power Transistor with Gate Threshold Voltage 3.6 V, Drain Source Voltage 650 V, Drain Source Resistance 35 milli-ohm, Continous Drain Current 46.5 A, Total Charge 142 nC. Tags: Through Hole.

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Transphorm
Factory Lead Time 3 Weeks
Description 650V SuperGaN FET
Gate Threshold Voltage 3.6 V
Drain Source Resistance 35 milli-ohm
Total Charge 142 nC
Output Capacitance 137 pF
Turn-off Delay Time 108 ns
Fall Time 8 ns
Package Type Through Hole
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Industry Commercial, Industrial, Renewable Energy
Drain Source Voltage 650 V
Continous Drain Current 46.5 A
Input Capacitance 2680 pF
Turn-on Delay Time 43 ns
Rise Time 12.4 ns
Temperature operating range -55 to 150 Degree C
Applications Datacom, Broad industrial, PV inverter, Servo motor
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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TP65H035G4YS Markenhersteller: Transphorm, Bonchip Aktie, TP65H035G4YS Referenzpreis. TP65H035G4YS Parameter, TP65H035G4YS Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TP65H035G4YS Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TP65H035G4YS Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TP65H035G4YS Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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