TP65H035WS Technische Spezifikationen

650 V 46.5 CASCODE GAN FET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Transphorm
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 30A, 8V
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 15 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Detailed Description N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247-3
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46.5A (Tc)
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