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IRFR1N60A Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 840mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 229pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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IRFR1N60A Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, IRFR1N60A Referenzpreis. IRFR1N60A Parameter, IRFR1N60A Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFR1N60A Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFR1N60A Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFR1N60A Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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