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SI7501DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.6W
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A, 4.5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 7.7A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel, Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI7501DN-T1 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 8
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SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays

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SI7501DN-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI7501DN-T1-GE3 Referenzpreis. SI7501DN-T1-GE3 Parameter, SI7501DN-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7501DN-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7501DN-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7501DN-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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