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SI7501DN-T1-E3 Technische Spezifikationen
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.6W |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A, 4.5A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 7.7A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'SI750'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SI7501DN-T1 | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 8 |
SI7501DN-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 3020 |
SI7501DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays | |
SI7501DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2887 |
SI7501DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 9351 |
SI7501DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistor Arrays |
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SI7501DN-T1-E3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI7501DN-T1-E3 Referenzpreis. SI7501DN-T1-E3 Parameter, SI7501DN-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI7501DN-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI7501DN-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI7501DN-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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